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公开/公告号CN206225240U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-06-06
原文格式PDF
申请/专利权人 宇光科技有限公司;
申请/专利号CN201621136989.X
发明设计人 陈扬;彭正远;郑勇;
申请日2016-10-19
分类号
代理机构
代理人
地址 325600 浙江省温州市乐清经济开发区纬十九路261号
入库时间 2022-08-22 02:34:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01H11/04 授权公告日:20170606 终止日期:20171019 申请日:20161019
专利权的终止
2017-06-06
授权
机译: 真空灭弧室的触头以及使用该触头的真空灭弧室
机译: 真空灭弧室的触头装置和使用该触头装置的真空灭弧室
机译:基于双TMF电弧控制系统的新型真空灭弧室触头设计,可改善大电流中断性能
机译:多层冷凝多组分材料在LV真空灭弧室的电触头中的适用性
机译:126kV真空灭弧室CuCrTa和CuCr55触头材料的电性能研究。
机译:轴向磁场结构对闭合轴向磁场真空灭弧室触头阈值焊接电流的影响
机译:3等距和3对称算子元组的提升定理及其应用。
机译:另一种上颌窦提升技术– Sinu提升系统
机译:证明选择同步真空电触头的真空灭弧室的接触材料的成分的原理
机译:从一个端部支撑架水平夹持钢芯的提升夹具分析