一种基于TaN薄膜的高功率集成电阻器

摘要

本实用新型公开了一种基于TaN薄膜的高功率集成电阻器，其包括有基板，基板上设有第一金属电极、第二金属电极和TaN薄膜，TaN薄膜呈半圆环状，第二金属电极开设有半圆形的凹口，TaN薄膜的外圆边缘与凹口的内圆边缘相贴合，以令TaN薄膜与第二金属电极电性连接，第一金属电极包括有第一竖直支臂、水平支臂、第二竖直支臂和半圆形支臂，第一竖直支臂和第二竖直支臂分别设于水平支臂的两侧，半圆形支臂设于第二竖直支臂远离水平支臂的一端，半圆形支臂外圆边缘与TaN薄膜的内圆边缘相贴合，以令TaN薄膜与第一金属电极电性连接。本实用新型具有优良的功率承载能力，进而满足大功率应用需求。