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利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置

摘要

本实用新型公开了一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置,该装置用于在不损坏层状绝缘材料的情况下对其内部的缺陷进行检测。利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置包括:太赫兹发射源、两个透镜、太赫兹探测器、二维扫描装置和成像处理装置,太赫兹发射源用于发射连续调频太赫兹波,两个透镜用于将太赫兹发射源发射的太赫兹波会聚至待测样品的表面,在待测样品表面反射后的太赫兹波再次经过两个透镜后由太赫兹探测器接收并与其内部的本振信号混频后得到一中频信号,二维扫描装置控制太赫兹发射源在距离待测样品表面的一设定距离处对待测样品的表面进行扫描。

著录项

  • 公开/公告号CN206132652U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 首都师范大学;

    申请/专利号CN201621179739.4

  • 发明设计人 张振伟;张存林;

    申请日2016-10-27

  • 分类号G01N21/88(20060101);G01N21/3581(20140101);

  • 代理机构11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙皓晨

  • 地址 100037 北京市海淀区西三环北路105号

  • 入库时间 2022-08-22 02:26:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-02

    专利权的转移 IPC(主分类):G01N21/88 登记生效日:20190716 变更前: 变更后: 申请日:20161027

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-04-26

    授权

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