一种高可靠性的IGBT驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种高可靠性的IGBT驱动电路，IGBT驱动电路中包括控制电路和被驱动IGBT，控制电路包括供电电路、电压放大电路、脉冲电路，控制电路的驱动三极管基极输入端增加了电容，即驱动三极管基极并联电容，采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的dv/dt和uce的峰值，达到短路保护的目的；被驱动IGBT栅极串联电阻，降低栅极驱动电压的上升速率，抑制电流的峰值，使栅极电路的阻抗足够低，以尽量降低意外的电压尖峰损害，消除负面影响。解决了现有技术IGBT驱动电路中，IGBT的栅极‑发射极间存在着较大的寄生电容，产生不利于IGBT开通和关断的因素，及栅极－集电极电容Cgc的密勒效应，引起意外的电压尖峰损害的问题。