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一种去除含Si笼状化合物中硅及含硅化合物杂相的方法

摘要

一种去除含Si笼状化合物中包含的硅及硅化物杂相的方法,属于材料制备领域。其步骤为按照预合成的含Si笼状化合物的分子式,称量高纯单质元素作为原料。按照常规的方法冶炼样品。研磨并球磨冶炼所获得的合金。使用碱溶液浸泡球磨后的粉末12小时。过滤上述溶液,使用稀盐酸处理过滤得到的粉末。再次过滤,并用去离子水反复冲洗过滤得到的粉末。干燥上步所获的粉末,得到目标样品。本发明利用含Si笼状化合物耐酸、耐碱的特点,采用碱液浸泡的方式,有效地去除含Si笼状化合物中的杂相硅。结合酸液浸泡的方法,可获得纯相的含Si笼状化合物。该方法是一种去除含Si笼状化合物包含的杂相的普适的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN104308140B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201410499587.5

  • 发明设计人 毕山力;刘丽华;李阳;

    申请日2014-09-25

  • 分类号

  • 代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司;

  • 代理人张仲波

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 09:40:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2015-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 1/00 申请日:20140925

    实质审查的生效

  • 2015-01-28

    公开

    公开

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