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衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统

摘要

本实用新型提供了一种衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统,其中,衬底偏置电路包括比较电路和第二稳压电容,所述比较电路用于比较第一充电电压和第二充电电压并输出较低的电压。通过比较电路选择第一充电电压和第二充电电压中较低的电压作为第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的衬底偏置电压,改善了第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的衬偏效应,从而减小了第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的阈值电压,提高了充电相位中第一充电电容和第二充电电容两端的最高电压,使得第三MOS晶体管和第四MOS晶体管的反向电流减小,从而实现降低输出纹波电压的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN205544931U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 豪威科技(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201620203591.7

  • 发明设计人 秦琳;陈杉;

    申请日2016-03-16

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人余毅勤

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园上科路88号

  • 入库时间 2022-08-22 01:40:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-31

    授权

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