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基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器

摘要

本实用新型具体提供了一种基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器。首先利用溅射方法在n型硅基底上生长二氧化钛纳米点薄膜;然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列;最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本实用新型利用二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的放大效应制备的二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结紫外光探测器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,且具有耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,对紫外光具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/109 授权公告日:20160831 终止日期:20170114 申请日:20160114

    专利权的终止

  • 2016-08-31

    授权

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