法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01M99/00 授权公告日:20160817 终止日期:20170112 申请日:20160112
专利权的终止
2016-08-17
授权
授权
机译: 密封腔中自由和非自由的基于金属和金属合金的晶圆结构的晶片级全尺寸CMOS集成及其形成方法
机译: 密封腔中自由和非自由的基于金属和金属合金的晶圆结构的晶片级全尺寸CMOS集成及其形成方法
机译: 密封腔中自由和非自由的基于金属和金属合金的晶圆结构的晶片级全尺寸CMOS集成及其形成方法