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公开/公告号CN103762314B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥工业大学;
申请/专利号CN201310753613.8
发明设计人 邱龙臻;陈梦婕;王迎;林广庆;陆红波;王晓鸿;吕国强;
申请日2013-12-31
分类号H01L51/40(20060101);
代理机构34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司;
代理人余成俊
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2022-08-23 09:40:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-25
授权
2014-06-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20131231
实质审查的生效
2014-04-30
公开
机译: 用于绝缘层树脂组合物的有机薄膜晶体管,外涂层绝缘层和有机薄膜晶体管
机译: 用于有机薄膜晶体管栅极绝缘层的树脂组合物,栅极绝缘层和有机薄膜晶体管
机译: 用于有机薄膜晶体管,覆膜绝缘层和有机薄膜晶体管的光能可交联绝缘层材料
机译:通过插入离子自组装单层膜改善喷墨打印的聚(3-己基噻吩)有机薄膜晶体管的性能
机译:优化的喷墨打印条件,可实现有机薄膜晶体管的稳定和可复制性能
机译:喷墨印刷用于有机薄膜晶体管的聚合物栅极电介质的改性
机译:用于有机薄膜晶体管的光空闲栅极绝缘层上五烯分子的光学各向异性
机译:通过光刻,自组装和喷墨打印技术的基于聚合物的电容器,结型场效应晶体管和跟随器电路。
机译:薄膜晶体管:喷墨打印薄膜晶体管的最新进展(Adv。Sci。6/2019)
机译:通过克服咖啡环效应,改善了用于有机薄膜晶体管的喷墨印刷ag源/漏电极的性能
机译:用于高性能纳米晶体管的绝缘层上的超薄复合半导体。