法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02H7/16 授权公告日:20160210 终止日期:20160602 申请日:20150602
专利权的终止
2016-02-10
授权
授权
机译: 一种制造基于SRTIO3的颗粒边界绝缘型半导体陶瓷电容器的单片半导体陶瓷电容器的方法
机译: 一种存储电容器的制造方法和基于该方法的使用存储电容器制造的半导体元件
机译: 一种存储电容器的制造方法和基于该方法的使用存储电容器制造的半导体元件