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基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片

摘要

本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。

著录项

  • 公开/公告号CN103257124B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都谱视科技有限公司;

    申请/专利号CN201310180693.2

  • 发明设计人 王卓然;袁国慧;高亮;

    申请日2013-05-16

  • 分类号G01N21/45(20060101);

  • 代理机构51227 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周永宏

  • 地址 610041 四川省成都市成都高新区高朋大道5号1栋110室

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-18

    专利权的转移 IPC(主分类):G01N 21/45 登记生效日:20190529 变更前: 变更后: 申请日:20130516

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-01-11

    专利权的转移 IPC(主分类):G01N 21/45 登记生效日:20181225 变更前: 变更后: 申请日:20130516

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-01-11

    专利权的转移 IPC(主分类):G01N 21/45 登记生效日:20181225 变更前: 变更后: 申请日:20130516

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/45 申请日:20130516

    实质审查的生效

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/45 申请日:20130516

    实质审查的生效

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/45 申请日:20130516

    实质审查的生效

  • 2013-08-21

    公开

    公开

  • 2013-08-21

    公开

    公开

  • 2013-08-21

    公开

    公开

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