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公开/公告号CN204906177U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-12-23
原文格式PDF
申请/专利权人 许昌学院;
申请/专利号CN201520726346.X
发明设计人 王武;张元敏;罗书克;
申请日2015-09-19
分类号
代理机构
代理人
地址 461000 河南省许昌市魏都区八一路88号许昌学院
入库时间 2022-08-22 01:02:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02M1/32 授权公告日:20151223 终止日期:20160919 申请日:20150919
专利权的终止
2015-12-23
授权
机译: IGBT关断过电压极限
机译: 能够在IGBT关断时防止IGBT导通的逆变器的栅极驱动电路
机译:具有状态反馈的有源钳位电路,用于串联的HV-IGBT
机译:ST Micro smart•600V耐压功率MOSFET,带关断电路和IGBT的三相栅极驱动器
机译:ST显微镜•带有关断电路的600V耐压PUSFET和IGBT的3相位命中栅极驱动器
机译:一种新型栅极驱动器电路,用于改善大电流IGBT模块的关断特性
机译:非钳位感性负载条件下IGBT关断故障的综合研究
机译:基于场电路耦合方法的双差分D点过电压传感器的仿真设计和测试
机译:门电路对IGBT晶体管动态参数的影响研究控制电路对IGBT晶体管动态参数的影响研究
机译:用于串联堆叠的栅极关断(GTO)器件的栅极驱动电路