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一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法

摘要

一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法,所述等离子处理装置至少包括两个腔室,每个腔室在较低位置处设有一个阴极,在所述阴极上连接有射频功率源,基片放置于腔室上进行制程,其中,所述方法包括如下步骤:(a),通入第一制程气体至多个腔室,同时施加第一频率于多个腔室,以激发等离子体分别对基片执行第一制程;(c),施加第二频率于先完成制程的腔室,以维持等离子体于刚好不熄灭状态;(e),通入第二制程气体至多个腔室,同时施加第三频率于多个腔室,以激发等离子体分别对基片执行第二制程。本发明能够显著改善等离子处理腔室的颗粒污染,并且提高了制程的稳定性和效率。

著录项

  • 公开/公告号CN103578904B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中微半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201210249772.X

  • 发明设计人 陶铮;松尾裕史;曹雪操;

    申请日2012-07-18

  • 分类号

  • 代理机构上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人王洁

  • 地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-05

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更前: 变更后: 申请日:20120718

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20120718

    实质审查的生效

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20120718

    实质审查的生效

  • 2014-02-12

    公开

    公开

  • 2014-02-12

    公开

    公开

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