公开/公告号CN204668279U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-09-23
原文格式PDF
申请/专利权人 朝阳无线电元件有限责任公司;
申请/专利号CN201520441104.6
发明设计人 李志福;
申请日2015-06-25
分类号H01L21/306(20060101);
代理机构北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人侯蔚寰
地址 122000 辽宁省朝阳市新华路二段75号
入库时间 2022-08-22 00:49:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-12
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/306 变更前: 变更后: 申请日:20150625
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-09-23
授权
授权
机译: 在区域烤箱中掺杂硅晶片的硼的方法,包括从硅晶片中的硼硅酸盐玻璃层中扩散硼,在规定的去除温度下冷却扩散室,并将硅晶片移出室
机译: 在硅电子器件中形成硅硼二元化合物层作为硼扩散源的方法
机译: 该物体包括轻质金属表面,该轻质金属表面设有由硅和硼的氧化物层作为基础层和具有颜料的硅氧化物层作为玻璃状覆盖层制成的耐碱保护层