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金属腔和介质腔强耦合的耦合结构

摘要

本实用新型涉及滤波器技术领域,尤其涉及一种金属腔和介质腔强耦合的耦合结构。包括壳体,壳体上设置有一端与壳体内壁不相接触的隔筋,隔筋上表面的水平高度低于壳体的上表面,隔筋将壳体分隔成相互连通的金属谐振腔和介质谐振腔,金属谐振腔内向上固定有金属谐振杆,介质谐振腔内向上固定有介质谐振杆,金属谐振腔和介质谐振腔连通处设置有一根耦合线,耦合线的两个端部分别固定在两个谐振腔内,耦合线上固定有一根向金属谐振腔一侧延伸的加强耦合线。本结构通过隔筋和耦合线形成磁场闭环耦合结构,耦合加强线增强了磁场耦合的强度,达到金属谐振腔和介质谐振腔良好耦合的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN204375899U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2015-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉凡谷电子技术股份有限公司;

    申请/专利号CN201520102766.0

  • 发明设计人 王波;王兴;

    申请日2015-02-12

  • 分类号

  • 代理机构武汉开元知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄行军

  • 地址 430205 湖北省武汉市江夏区关凤路藏龙岛凡谷工业园4号楼2楼

  • 入库时间 2022-08-22 00:37:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-03

    授权

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