公开/公告号CN204375899U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉凡谷电子技术股份有限公司;
申请/专利号CN201520102766.0
申请日2015-02-12
分类号
代理机构武汉开元知识产权代理有限公司;
代理人黄行军
地址 430205 湖北省武汉市江夏区关凤路藏龙岛凡谷工业园4号楼2楼
入库时间 2022-08-22 00:37:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-03
授权
授权
机译: -具有增强耦合灵敏度的后腔耦合器
机译: 原子与腔场之间强耦合的光子晶体微腔及其制造方法
机译: 原子与腔场之间强耦合的光子晶体微腔及其制造方法