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具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片

摘要

本实用新型公开了一种具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片,包括:多个阱单元行;隔行布置在所述多个阱单元行中的多个阱连接单元行;其中,所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成:使得每个阱连接单元行中的阱连接单元以防闩锁效应的最小安全距离为半径形成的覆盖区的叠加足以覆盖全部的所述多个阱单元行。根据本实用新型的阱连接单元,由于为精心设计阱连接单元间的间距和采用的隔行布置,在预防闩锁效应和满足芯片的充分供电的情况下,使所加的阱连接单元数量尽可能的少,节省了加工成本,优化了芯片的时序,确保了精确合理的制定芯片的制造工艺,提高了芯片产品质量的可靠性和稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN204331730U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2015-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201420775113.4

  • 发明设计人 姜硕;

    申请日2014-12-10

  • 分类号

  • 代理机构北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人方挺

  • 地址 110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号

  • 入库时间 2022-08-22 00:36:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-13

    授权

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