法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-30
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01B17/52 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20141205
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-04-22
授权
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机译: 可编程电荷存储晶体管,存储单元的高伸缩字符串阵列,Si3Nx的形成方法,在控制栅极和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的形成方法,阵列的形成方法单元的高伸缩字符串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及一系列的高伸缩存储单元字符串
机译: 一种评估绝缘栅型晶体管的方法,一种制造绝缘栅型晶体管的方法,一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器
机译: 六氟化硫绝缘断路器,包括该绝缘断路器的预制变电站,H型变电站和中压站