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公开/公告号CN204271228U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 天津米克威科技有限公司;
申请/专利号CN201420767889.1
发明设计人 史卫箭;刘德友;张凤玉;孙贵铮;徐晓川;朱亚庚;徐晓茹;刘正建;刘彪;
申请日2014-12-09
分类号H01P3/06(20060101);
代理机构12105 天津中环专利商标代理有限公司;
代理人胡京生
地址 300300 天津市东丽区华明产业园
入库时间 2022-08-22 00:33:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-15
授权
机译: 利用核壳型纳米粒子制备低介电绝缘膜的方法及制备的低介电绝缘膜
机译: 核壳型纳米粒子,相同的制备方法,使用相同的制备低介电绝缘膜的方法以及制备的低介电绝缘膜
机译:使用全耗尽型绝缘体上硅CMOS技术开发用于低红外图像传感器的低功率低温读出集成电路
机译:利用全耗尽型绝缘体上硅CMOS技术开发用于低红外图像传感器的低功率低温读出集成电路
机译:具有MgO绝缘膜的低铁损低铁损紧凑型磁芯
机译:用于航空航天应用的低漂移型K和N矿物绝缘热电缆
机译:野生型枯草芽孢杆菌菌株中合成酶的表征表征产生表达及柔佛绝缘突变体