一种高频率的石英晶体谐振器

摘要

本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域，具体涉及一种高频率的石英晶体谐振器，包括晶片本体，晶片本体的上表面设置有上镀膜层，上镀膜层中部开设有刻蚀层，刻蚀层的长边与上镀膜层的长边之间的距离为0.25-0.40mm，刻蚀层的短边与上镀膜层的短边之间的距离为0.20-0.35mm。本实用新型由于在刻蚀层尺寸小于上镀膜层的尺寸，刻蚀掉中间一部分镀膜材料，因此对高频率FDLD参数影响小，并且可提高产品品质稳定性。