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公开/公告号CN203768487U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201420028339.8
发明设计人 陆液;林杏潮;张莉萍;陆荣;邵秀华;王仍;焦翠灵;张可锋;杜云辰;
申请日2014-01-17
分类号
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2022-08-22 00:13:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-13
授权
机译: 活化单晶人工晶体和通过喷涂或沉淀法沉积的多晶层,元素的硫族化物,碲,镉,铅,锌,汞的活化方法
机译: 有机金属气相生长法制备p型碲化物锌的方法
机译: 生长碲化锌薄膜的方法
机译:锌硒烯化物和锌碲化物簇与硒代苯硒酸酯和苯基碲脲酸酯配体。 [NEt4](2)[Zn4Cl4(SePh)(6)],[NEt4](2)[Zn8Cl4Se(SePh)(12)],[Zn8Se(SePh)(14)(PnPr(3))的晶体结构(2)],[(HPPr2R)-Pr-n](2)[Zn8Cl4Te(TePh)(12)](
机译:热环境对块状碲化锌锌晶体生长的影响
机译:以二甲基锌,二甲基镉,二乙基碲化物和二甲基碲化物为前驱体的金属有机气相外延生长CdZnTe层的生长特性
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