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公开/公告号CN203688670U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军军械工程学院;
申请/专利号CN201420033655.4
发明设计人 范志锋;崔平;郭刚虎;张向锋;文健;吕静;崔亮;徐敬青;仲伟君;苏续军;
申请日2014-01-17
分类号
代理机构石家庄国为知识产权事务所;
代理人陆林生
地址 050003 河北省石家庄市和平西路97号
入库时间 2022-08-22 00:10:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R27/02 授权公告日:20140702 终止日期:20190117 申请日:20140117
专利权的终止
2014-07-02
授权
机译: 电可写交叉点型非易失性可变电阻存储和交叉点型可变电阻性存储阵列
机译: 电可编程电阻交叉点记忆检测方法
机译:烧结温度对Zn中心点Pr中心点Co中心点Cr中心点La氧化物基压敏电阻组织和电性能的影响
机译:SnO_2中心点CuO中心点Ta_2O_5压敏电阻系统的电性能
机译:主要地震在互相检测和电阻堵塞电火火灾中对电火灾的对策
机译:使用四点电阻测量方法检测焊料凸点边缘接触电阻的下降
机译:通过电阻脉冲检测来检测和监测生物纳米组件的形成
机译:电阻抗肌电图以检测野生型和Mdx小鼠中电肌肉刺激的影响
机译:电生物阻抗评估体脂及其与儿童腰围测量不同解剖点的相关性生物电阻抗体脂评估及其与不同解剖部位的相关性
机译:考虑磁电阻效应的低温电感器的电损耗和电阻