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【24h】

Effect of sintering temperature on microstructure and electrical properties of Zn centre dot Pr centre dot Co centre dot Cr centre dot La oxide-based varistors

机译:烧结温度对Zn中心点Pr中心点Co中心点Cr中心点La氧化物基压敏电阻组织和电性能的影响

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摘要

The microstructure and electrical properties of varistors, which are composed of Zn centre dot Pr centre dot Co centre dot Cr centre dot La oxide-based ceramics, were investigated with different sintering temperatures. The increase of sintering temperature led to more densified ceramics, whereas it decreased the varistor voltage and nonlinear properties. The highest nonlinearity was obtained from 1230 deg C, with 77.9 in nonlinear exponent and 0.4 mu A in leakage current. As the sintering temperature increased, the donor concentration and density of interface states increased in the range of 0.90 x 10~18 to 2.59 X 10~18/cm~3 and 3.98 x 10~2 to 4.04 x 10~12/cm~2, respectively. The barrier height decreased with increasing sintering temperature, reaching a minimum (0.67 eV) at 1300 deg C.
机译:在不同的烧结温度下研究了由Zn中心点Pr中心点Co中心点Cr中心点La氧化物基陶瓷组成的压敏电阻的微观结构和电学性能。烧结温度的升高导致陶瓷的致密化增加,而压敏电阻电压和非线性性能则下降。从1230摄氏度获得最高的非线性度,非线性指数为77.9,泄漏电流为0.4μA。随着烧结温度的升高,给体浓度和界面态密度在0.90 x 10〜18至2.59 X 10〜18 / cm〜3和3.98 x 10〜2至4.04 x 10〜12 / cm〜2的范围内增加。 , 分别。势垒高度随烧结温度的升高而降低,在1300摄氏度时达到最小值(0.67 eV)。

著录项

  • 来源
    《Materials Letters 》 |2006年第28期| p.3394-3397| 共4页
  • 作者

    C.-W. Nahm;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, Dongeui University, Busan 614-714, Republic of Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学 ;
  • 关键词

    Ceramics; Sintering; Electrical properties; Varistors;

    机译:陶瓷;烧结;电性能;压敏电阻;

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