一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构

摘要

一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬芯形敏感膜片；下芯片正面除周边封接面外是过压截止槽，中心有引压通孔；上、下芯片由硅橡胶密封后，经划片分割后形成单个微压传感器芯片。效果：本芯片结构的传感器压力量程仅为1KPa，因梁结构的应力集中效应，1KPa压力时灵敏度输出达到20mV/1KPa(1mA激励）,线性度达到0.05%FS.采用了用双抛硅单晶片代替封接玻璃，高强度密封胶在室温下粘接固化实现了无应力封接；当上芯片承受高倍过载时，硬芯形敏感膜片向下弯曲触在浅槽上而截止，这种结构实现了抗50倍过压的保护。