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一种晶体培养过程中的连续过滤自动控制装置

摘要

本实用新型属于过程控制先进控制领域,具体涉及一种晶体培养过程中的连续过滤自动控制装置,适用于快速生长大尺寸KDP和DKDP晶体的培养。该装置包括过滤装置和自动控制装置,过滤装置由过滤槽、热水浴、热水浴接收槽、冷水浴、冷水浴接收槽、蛇形管、输送泵、过滤器、计量泵和5个测温传感器组成,控制装置由PLC和触摸屏组成。连续过滤自动控制装置在快速生长大尺寸晶体的培养过程中对从育晶槽里流出的带有颗粒杂质的生长溶液,先加热溶解杂晶;再经过滤器滤除无关杂质;最后通过降温使回流到育晶槽里的溶液温度恢复到与育晶槽里的溶液温度一致,从而完成连续过滤循环。本实用新型装置提高了大尺寸晶体的生长速度和质量。

著录项

  • 公开/公告号CN203174218U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江南大学;

    申请/专利号CN201320104961.8

  • 发明设计人 潘丰;王凯;

    申请日2013-03-06

  • 分类号C30B7/08(20060101);C30B29/14(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 214122 江苏省无锡市蠡湖大道1800号江南大学

  • 入库时间 2022-08-21 23:53:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-19

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B7/08 授权公告日:20130904 终止日期:20160306 申请日:20130306

    专利权的终止

  • 2013-09-04

    授权

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