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用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件

摘要

本实用新型公开了一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件,硅基片衬底为n型单晶硅基片,硅基片衬底的上面设置有多孔硅层,该多孔硅层的平均孔径为170.28nm,厚度为68.78μm,多孔硅层的上面设置有氧化钨薄膜,薄膜厚度为35nm,所述多孔硅层与氧化钨薄膜形成多孔硅基氧化钨纳米复合结构;氧化钨薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型在室温下即可对超低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性,响应/恢复时间短,稳定性好,且体积小巧、结构简单、工艺成熟、价格低廉,有望在气敏传感器领域获得推广应用。

著录项

  • 公开/公告号CN203069539U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201220729968.4

  • 申请日2012-12-26

  • 分类号G01N27/00(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人张宏祥

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-21 23:50:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/00 授权公告日:20130717 终止日期:20131226 申请日:20121226

    专利权的终止

  • 2013-07-17

    授权

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