一种PN结阵列受光的太阳电池

摘要

本专利公开了一种PN结阵列受光的太阳电池，在n型或p型半导体材料衬底上形成等间隔的周期性排列的PN结阵列，并将n型或p型层分别串联起来形成太阳电池；电池工作时太阳光直接入射至PN结阵列。本专利最大的优点是：由于采用了PN结阵列直接受光的结构，工作时太阳光无须穿越p型或n型薄膜，解决了当前太阳电池的顶层薄膜对太阳光的强吸收的难题，避免了太阳光入射至PN结前的能量损耗，从而提高了太阳电池的光电转换效率。