物理沉淀法制作的薄膜型热敏电阻温度传感器芯片

摘要

本实用新型属于电子元件制造技术领域，具体公开一种物理沉淀法制作的薄膜型热敏电阻温度传感器芯片。该热敏电阻温度传感器芯片，包括基片，所述基片上依次设有一沉淀后烧结而成的热敏电阻介质薄膜层、表面电极层及玻璃防护层，并在设有热敏电阻介质薄膜层及玻璃防护层后的基片的两端部设有端电极。该温度传感器芯片的热时间常数小(反应灵敏)、可靠性好、稳定性高，且其制膜方法较其他制膜方法简单，工艺流程简化，操作便捷，大大节约生产成本，不需要添加其他辅助原材料。