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多基岛露出单圈单芯片正装无源器件静电释放圈封装结构

摘要

本实用新型涉及一种多基岛露出单圈单芯片正装无源器件静电释放圈封装结构,它包括基岛(1)和引脚(2),所述基岛(1)有多个,所述基岛(1)与引脚(2)之间设置有静电释放圈(10),所述多个基岛(1)正面设置有芯片(4),所述芯片(4)正面与引脚(2)正面之间用金属线(5)相连接,所述基岛(1)和引脚(2)周围区域以及芯片(4)和金属线(5)外均包封有塑封料(6),所述基岛(1)和引脚(2)下部的塑封料(6)表面上开设有小孔(7),所述小孔(7)内设置有金属球(9),所述引脚(2)与引脚(2)之间跨接无源器件(11)。本实用新型的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。

著录项

  • 公开/公告号CN202564366U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏长电科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201220204517.9

  • 发明设计人 王新潮;李维平;梁志忠;

    申请日2012-05-09

  • 分类号

  • 代理机构江阴市同盛专利事务所;

  • 代理人唐纫兰

  • 地址 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号

  • 入库时间 2022-08-21 23:37:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-28

    授权

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