采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构

摘要

本实用新型公开了一种采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有N阱漂移区、源区、漏区，N阱漂移区上形成有场氧区；源区通过接触孔连接源极，漏区通过接触孔连接漏极；场氧区上设置有栅多晶场板；所述源、漏极为叉指结构，指尖状的源极和漏极交替排列；第一栅极金属在器件一端通过接触孔与栅多晶相连；沿所述源极的指尖结构长度方向设置有第二栅极金属，第二栅极金属与所述栅多晶平行，所述第二栅极金属通过多个栅金属接触孔与栅多晶相连。本实用新型通过改善叉指状横向功率MOSFET的栅极，能够改善器件沿指尖方向的开关均匀性，增加指尖的结构长度，增加允许最大电流，改善器件的安全工作区。