公开/公告号CN202351383U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-07-25
原文格式PDF
申请/专利权人 南京普爱射线影像设备有限公司;
申请/专利号CN201120356076.X
申请日2011-09-22
分类号
代理机构
代理人
地址 211112 江苏省南京市江宁区开源路168号
入库时间 2022-08-21 23:32:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R31/26 授权公告日:20120725 终止日期:20160922 申请日:20110922
专利权的终止
2012-07-25
授权
授权
机译: 用于功率半导体开关的受控阻断电流产生装置,例如MOSFET开关或IGBT开关,使用耗尽p沟道MOSFET作为阻断电流源
机译: 一种用于生产mos受控功率半导体组件的方法。
机译: zuendschaltung用于一种或多种受控功率半导体