公开/公告号CN202148365U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏兆晶光电科技发展有限公司;
申请/专利号CN201120270321.5
申请日2011-07-28
分类号
代理机构北京市惠诚律师事务所;
代理人王美华
地址 213200 江苏省常州市金坛市经济开发区南环二路888号
入库时间 2022-08-21 23:26:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B15/00 授权公告日:20120222 终止日期:20170728 申请日:20110728
专利权的终止
2013-07-10
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B15/00 变更前: 变更后: 申请日:20110728
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-02-22
授权
授权
机译: 硅单晶硅提拉法的硅熔体表面高度位置的计算方法及硅单晶硅提拉法的装置
机译: 单晶炉二次包装装置
机译: 用直拉法生长的单晶硅生产装置