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基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,本实用新型是在基板上自下而上依次沉积ZnO纳米线、硅基薄膜层、背电极层和封装材料层构成。本实用新型通过将ZnO纳米线复合到硅基薄膜太阳能电池内部,利用ZnO纳米线巨大的比表面积增大电池的受光面积,以及利用这些纳米线作为薄膜电池内部载流子的输送桥梁将载流子的迁移距离有几十微米减少至几百纳米,极大地提高了电池内部载流子收集效率,从而提高硅基薄膜电池的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN202058747U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2011-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州天裕光能科技有限公司;

    申请/专利号CN201120134375.9

  • 发明设计人 郝芳;吴兴坤;叶志高;

    申请日2011-04-29

  • 分类号

  • 代理机构浙江翔隆专利事务所;

  • 代理人胡龙祥

  • 地址 310018 浙江省杭州市江干区下沙杭州经济技术开发区出口加工区16号大街

  • 入库时间 2022-08-21 23:24:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0352 授权公告日:20111130 终止日期:20170429 申请日:20110429

    专利权的终止

  • 2011-11-30

    授权

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