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公开/公告号CN202047166U
专利类型实用新型
公开/公告日2011-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 李榕生;
申请/专利号CN201120108462.7
发明设计人 李榕生;
申请日2011-04-06
分类号
代理机构
代理人
地址 315012 浙江省宁波市海曙区联丰路169弄39号604室
入库时间 2022-08-21 23:24:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B11/00 授权公告日:20111123 终止日期:20120406 申请日:20110406
专利权的终止
2011-11-23
授权
机译: 垂直布里奇曼法生长的气体单晶的最佳生长参数
机译: 垂直布里奇曼法生产单晶并确定用于该生产的原材料的进料速度
机译: 垂直布里奇曼法GaAs单晶生长及辅助加热器
机译:垂直布里奇曼法和ACRT法从Te溶液中生长ZnTe单晶
机译:固定坩埚布里奇曼法处理Ni_(49.9)Mn_(19.6)Cu_(5.7)Ga_(24.8)单晶的磁热性能
机译:改进的垂直布里奇曼法生长AgGa0.5In0.5Se2单晶的结构,热,激光损伤,光电导,NLO和机械性能
机译:垂直布里奇曼和水下布里奇曼的垂直布里奇曼对CMSX-4单晶生长的比较研究
机译:改进的垂直布里奇曼法生长和表征三碘化铋单晶。
机译:布里奇曼法生长的高质量GaSe单晶
机译:垂直布里奇曼法生长的Cd 1-xMn xTe单晶的光致发光特性
机译:用于固态激光器应用的新材料的增长。垂直布里奇曼法生长ZnGep2