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一种单层芯片超高压半导体整流器

摘要

本实用新型公开了一种单层芯片超高压半导体整流器,包括由区熔硅片扩散而成的单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,单层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本实用新型的有益效果是:采用单层硅芯片,可以显著降低产品的正向压降,使产品自身的功耗降低,提高产品的可靠性;另一个优点是,可以提高装填工艺的效率,提高产品的合格率。

著录项

  • 公开/公告号CN201975396U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆平伟实业股份有限公司;

    申请/专利号CN201020563910.8

  • 发明设计人 王震;

    申请日2010-10-18

  • 分类号H01L29/861(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 400000 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区

  • 入库时间 2022-08-21 23:22:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    授权

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