公开/公告号CN201975396U
专利类型实用新型
公开/公告日2011-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆平伟实业股份有限公司;
申请/专利号CN201020563910.8
发明设计人 王震;
申请日2010-10-18
分类号H01L29/861(20060101);
代理机构
代理人
地址 400000 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区
入库时间 2022-08-21 23:22:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-14
授权
授权
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于检查芯片堆叠半导体装置的方法以及一种使用能够快速检查芯片之间的连接故障的能力来制造芯片堆叠半导体装置的方法
机译: 树脂密封的半导体装置及其制造方法,可防止热量从一种半导体芯片转移到另一种半导体芯片上