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一种LED芯片的电极结构及包含其的LED芯片结构

摘要

本实用新型公开了一种LED芯片的电极结构,包括:N型电极和P型电极,N型电极包括:边缘电极,设置在芯片边缘,边缘电极包括相互平行的两条第一边缘电极,以及连接在两条第一边缘电极之间的第二边缘电极;中心电极,连接在第二边缘电极的中心,平行于第一边缘电极设置;定位电极,包括:连接在第一边缘电极上,并平行于第二边缘电极设置的第一定位电极,以及连接在中心电极上,并平行于第一定位电极设置的第二定位电极;P型电极的结构配置为与第一定位电极和第二定位电极保持预定距离,在第一定位电极和第二定位电极之间延伸。该结构通过改变N型电极与P型电极之间的排布结构,使电流传递更为稳定、以达到更好的电流扩散性,避免电流聚集效应的产生。

著录项

  • 公开/公告号CN201812849U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2011-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘能华磊光电股份有限公司;

    申请/专利号CN201020515951.X

  • 发明设计人 姚禹;许亚兵;戚运东;罗正加;

    申请日2010-09-03

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人吴贵明

  • 地址 410007 湖南省郴州市有色金属产业园

  • 入库时间 2022-08-21 23:18:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/38 授权公告日:20110427 终止日期:20170903 申请日:20100903

    专利权的终止

  • 2011-04-27

    授权

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