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用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置

摘要

一种用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置,包括:布喇格光纤及纳米光子集成芯片,在布喇格光纤的与纳米光子集成芯片相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构。本实用新型斜切打磨的方法使布喇格光纤拉锥结构的末端成为扁平形状,融合了光纤拉锥、斜切打磨加工简便、布喇格光纤与纳米光子集成芯片耦合能够消除光纤端面菲涅尔反射的特点,提出了一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片耦合装置。该结构通过拉锥结构将布喇格光纤出射的模斑尺寸缩小进而减少与纳米光子集成芯片端面的尺寸失配,提高了耦合效率;此外,为进一步提高耦合效率,本实用新型将布喇格光纤拉锥末端的形状限定为扁平形状。

著录项

  • 公开/公告号CN201413407Y

    专利类型

  • 公开/公告日2010-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN200920044053.8

  • 发明设计人 孙小菡;于兵;

    申请日2009-06-10

  • 分类号

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人陆志斌

  • 地址 210096 江苏省南京市四牌楼2号

  • 入库时间 2022-08-21 23:07:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-05

    专利权有效期届满 IPC(主分类):G02B6/30 授权公告日:20100224 申请日:20090610

    专利权的终止

  • 2011-09-21

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G02B6/30 合同备案号:2011320001061 让与人:东南大学 受让人:南京华脉科技有限公司 实用新型名称:用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置 授权公告日:20100224 许可种类:独占许可 备案日期:20110725 申请日:20090610

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2010-02-24

    授权

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