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基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片用耦合结构

摘要

一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片用耦合结构,包括:布喇格光纤及纳米光子集成芯片,在布喇格光纤的与纳米光子集成芯片相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构。本发明斜切打磨的方法使布喇格光纤拉锥结构的末端成为扁平形状,融合了光纤拉锥、斜切打磨加工简便、布喇格光纤与纳米光子集成芯片耦合能够消除光纤端面菲涅尔反射的特点,提出了一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片耦合结构。该结构通过拉锥结构将布喇格光纤出射的模斑尺寸缩小进而减少与纳米光子集成芯片端面的尺寸失配,提高了耦合效率;此外,为进一步提高耦合效率,本发明将布喇格光纤拉锥末端的形状限定为扁平形状。

著录项

  • 公开/公告号CN101576635A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN200910033251.9

  • 发明设计人 孙小菡;于兵;

    申请日2009-06-10

  • 分类号G02B6/30;

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人陆志斌

  • 地址 210096 江苏省南京市四牌楼2号

  • 入库时间 2023-12-17 22:57:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-07-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B6/30 公开日:20091111 申请日:20090610

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-01-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-11

    公开

    公开

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