公开/公告号CN201387733Y
专利类型
公开/公告日2010-01-20
原文格式PDF
申请/专利权人 成都利尼科医学技术发展有限公司;
申请/专利号CN200920302545.2
发明设计人 王全秀;
申请日2009-04-24
分类号
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人王芸
地址 611130 四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园新华路
入库时间 2022-08-21 23:07:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G21K1/04 授权公告日:20100120 终止日期:20180424 申请日:20090424
专利权的终止
2010-01-20
授权
授权
机译: 用钨/聚硅酸盐门阻隔钨的脱除半导体装置中的钨残留物的方法
机译: 钨和氮化钨原位化学气相沉积改进的门极电极连接结构
机译: 在不将钨硅化物层中的氟扩散到门氧化物层中的情况下,形成半导体装置中的钨硅化物层的方法