首页> 中国专利> 电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法

电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法

摘要

本发明涉及电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法。本发明以熔融含硅合金作为电解槽的阳极,氟化物电解质置于中间层,熔融高纯硅置于最上层作为阴极,电解槽自下而上构成“熔融硅合金——熔融电解质——熔融高纯硅”三层液态电解池,随后采用恒电流电解精炼,在电解精炼过程中将阴极液态高纯硅原位提拉定向凝固进一步纯化,并直接将其制备为高纯单晶硅。多晶硅以液态形式沉出,解决了熔盐电解法制备太阳能级多晶硅的过程中,硅以固态形式沉积出来时,产物易枝晶化,导电性差,阴极固-液界面不稳定,沉积速度慢,且电流效率较低的问题;缩短了单晶硅的制备流程,又可以降低太阳能多晶硅及单晶硅电池的制造成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103243385B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201310174224.X

  • 发明设计人 焦树强;胡月皎;朱鸿民;

    申请日2013-05-13

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B9/14(20060101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人皋吉甫

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-27

    授权

    授权

  • 2013-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20130513

    实质审查的生效

  • 2013-08-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号