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1100kV特高压瓷柱式SF

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摘要

本实用新型涉及一种1100kV特高压瓷柱式SF

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-11-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01H33/64 授权公告日:20090722 终止日期:20090908 申请日:20080808

专利权的终止
2009-07-22

授权

授权

1. 1100kV特高压瓷柱式SF [P] . 中国专利： CN201278327Y . 2009.07.22
2. 一种SF₆气体瓷柱式断路器加热装置 [P] . 中国专利： CN211879287U . 2020-11-06
3. p P-pillar type super junction power mosfet with an enhanced RON and manufacturing method thereof [P] . 韩国专利： KR101803156B1 . 2017-12-29

机译：具有增强的ron的p柱式超结功率MOSFET及其制造方法
4. aanpassingskoppelinrichting between a post of a system of telecommunications, which informatiesalvo's transferpart datasalvo modem and terminal equipment with low werksnelheid. [P] . NL180370C . 1987-02-02

机译：在信息系统alvo的transferpart datasalvo调制解调器和具有较低werksnelheid的终端设备的电信系统的接线柱之间进行了提示式填充。
5. aanpassingskoppelinrichting between a post of a system of telecommunications, which informatiesalvo's transferpart datasalvo modem and terminal equipment with low werksnelheid. [P] . NL180370B . 1986-09-01

机译：在信息系统alvo的transferpart datasalvo调制解调器和具有较低werksnelheid的终端设备的电信系统的接线柱之间进行了提示式填充。