法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-02-10
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-11-21
授权
授权
机译: 通过防止相变材料层上其他颗粒的残留,通过第一种吸收抑制剂抑制相变材料层的平整度的淤泥组成,以及使用相变材料制造相变材料的方法
机译: 具有改进的磨蚀和腐蚀作用的铜阻挡层的CMP淤泥成分及其使用的抛光方法
机译: 用于电镀的导电基础材料,其制造方法,制造导体层图案的基础材料,导体层图案适合的基础材料以及使用相同的电磁波屏蔽构件