法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):E05G7/00 授权公告日:20070725 终止日期:20090705 申请日:20060705
专利权的终止
2007-07-25
授权
授权
机译: 半导体组件具有场隔离区,该场隔离区的厚度从栅极隔离区的厚度向着源极或漏极之一的方向增加,其中增加的厚度朝着氧化场的厚度调整
机译: 对特别是被灰尘污染的隔离区和/或隔离区的简要说明,以及实现该隔离区的装置
机译: 对特别是被灰尘污染的隔离区和/或隔离区的简要说明,以及实现该隔离区的装置