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一种针对Mpeg-4编解码的低功耗SRAM帧缓冲结构

摘要

本实用新型公开了一种针对Mpeg-4编解码的低功耗SRAM帧缓冲结构,包括SRAM,还包括帧缓冲控制器,所述帧缓冲控制器由总线接口、SRAM控制逻辑、寄存器堆以及功耗控制部件构成,所述功耗控制部件用于将SRAM在工作闲时,置于低功耗状态。相对现有技术,本实用新型具有结构简单、节省能源、延长电池使用寿命的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN2775975Y

    专利类型

  • 公开/公告日2006-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京中星微电子有限公司;

    申请/专利号CN200420122268.4

  • 发明设计人 白锋;

    申请日2004-12-31

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层

  • 入库时间 2022-08-21 22:50:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-03-10

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-04-26

    授权

    授权

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