公开/公告号CN2686062Y
专利类型
公开/公告日2005-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 佛山市顺德区创格电子实业有限公司;
申请/专利号CN200420044257.9
申请日2004-04-02
分类号H01G4/33;
代理机构广州三环专利代理有限公司;
代理人刘孟斌
地址 528305 广东省佛山市顺德区容桂高新技术产业开发园新有东路7号
入库时间 2022-08-21 22:48:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G4/33 授权公告日:20050316 终止日期:20130402 申请日:20040402
专利权的终止
2005-03-16
授权
授权
机译: 形成有机薄膜的方法,该有机薄膜将具有微小泄漏电流和大介电常数的有机薄膜晶体管的薄膜绝缘,并将有机薄膜复合到由薄膜组成的有机薄膜中
机译: 用于片式电容器高压测试的分选设备
机译: 通过将要被金属化的平坦半导体衬底的区域部分浸入存在于金属化槽中的金属化溶液中,使该区域与磁场重叠,从而对半导体组件进行电镀金属化