公开/公告号CN2349674Y
专利类型
公开/公告日1999-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 云南师范大学太阳能研究所;鞠定德;
申请/专利号CN98209986.X
发明设计人 鞠定德;
申请日1998-01-20
分类号H01L31/06;
代理机构云南省专利事务所;
代理人徐玲菊
地址 650092 云南省昆明市121大街158号
入库时间 2022-08-21 22:39:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2004-02-25
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-11-17
授权
授权
机译: 利用砷化镓(GaAs)和砷化铝镓化合物(AlxGa1-xAs)的异质薄膜的三极场发射器及其制造方法
机译: 砷化镓太阳能电池质量检测方法砷化镓太阳能电池质量检测方法
机译: 双异质结构注入激光器-带状结,使用砷化镓衬底和砷化镓铝层