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公开/公告号CN2190000Y
专利类型
公开/公告日1995-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 王晓秋;
申请/专利号CN94202840.6
发明设计人 王晓秋;
申请日1994-02-03
分类号B23K9/10;
代理机构
代理人
地址 100011 北京市西城区德胜门外黄寺大街27号
入库时间 2022-08-21 22:36:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1997-03-26
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-02-22
授权
机译: 用于减少双极型开关晶体管的关断损耗的低损耗电路装置
机译: 即使执行了应力消除退火并且连续制造用于降低低损耗晶粒取向硅钢的设备培训,仍可制造出无磁性能降低的低损耗晶粒取向硅钢片
机译: 低损耗的起泡酒,用于生产具有低损耗的起泡的低损耗起泡电缆的方法和用于具有低损耗发泡层的成型电缆的起泡层的方法。
机译:一种新型无回弹,低关断损耗的反向导电SOI-LIGBT的阳极区P型双沟槽栅极的仿真研究
机译:无回跳的反向导通IGBT,关断损耗低
机译:具有自动驾驶辅助栅极的无循环和低损耗SAG-LIGBT
机译:高电流下逆变腿IGBT关断特性对逆变电流的影响的实验研究
机译:实现低损耗玻璃波导的无蚀刻纤芯工艺
机译:使用具有Ge2Sb2Se4Te1相变材料的三波导耦合器的非易失性和超低损耗可重构模式(De)多路复用器/开关
机译:IGBT的最佳双面栅极控制,可降低关断损耗并抑制浪涌电压
机译:微波吸收和分子结构的液体。 5.测量低损耗解决方案的介电常数和损耗的。