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基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法

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本发明公开了一种基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法。该方法将熔源过程分为两次，第一次熔源将熔源材料In和InAs高温长时间充分熔融得到初始熔源，第二次熔源时加入InN粉末，通过优化InN粉末的放置方式，既增加了InN粉末在初始熔源中的溶解量及其分布的均匀性，又有效地缩短了第二次高温熔源时间，减小了氮元素的挥发量，最终获得了含氮量为0.66％的InAs

著录项

公开/公告号CN104032375B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-30

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海技术物理研究所;
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申请/专利号CN201410258936.4
发明设计人吕英飞;胡淑红;王洋;孙常鸿;邱锋;俞国林;戴宁;
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申请日2014-06-12
分类号
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2022-08-23 09:38:03

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-30

授权

授权
2014-10-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/38 申请日:20140612

实质审查的生效
2014-09-10

公开

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