电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法，该复合材料按体积分数计，由55～70％的SiC增强相和30～45％的Cu基质相组成，基质相和增强相是相互连续的；其制备方法采用真空溶胶-凝胶浸渍工艺结合氢气还原法在定向多孔SiC陶瓷内表面涂覆均匀连续的金属钨层，解决了SiC与Cu之间的润湿性问题，不仅使自发熔渗易于进行，而且能充分发挥Cu的高导热优势，明显改善复合材料的热物理性能。本发明工艺简单、成本低、能制备各种复杂形状的复合材料。