超薄与多层结构相变化内存组件

摘要

本发明公开了一种超薄与多层结构相变化内存组件，包含一硅基材，一个到至少两个具有一超薄相变化材料层的三明治状相变化记忆单元位于硅基材上方；一第一电极与一第二电极分别电性连接到相变化记忆单元的二侧；硅基材上方有一介电层作为电的绝缘层。三明治相变化记忆单元由一保护性阻隔层镀制在超薄相变化材料层的上层与下层所组成，其特征为当记忆层厚度由15nm降到5nm时结晶温度上升至少摄氏50度，且相变时体积变化小于3％。在相变化记忆单元中，各超薄相变化材料层厚度在30奈米以下，可为不同厚度或不同相变材料。