提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法及其应用

摘要

本发明提供一种通过卤化ITO以提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法，及该种ITO透明导电薄膜在OLED中的应用。所述方法是将过氧化物在紫外光照下产生羟基自由基，有机卤代化合物受羟基自由基攻击，卤素原子相继被羟基亲核取代，卤素自由基在ITO表面形成In-X键。所述混合溶液中的过氧化物加速了In-X键的形成，紫外光处理时间短，降低了制备成本；本发明在常温常压下即可进行反应，反应条件温和，工艺简单。制备的ITO透明导电薄膜表面功函数高。运用所述ITO透明导电薄膜的OLED，可以有效的实现空穴注入，而无需引入空穴注入层，不但简化了器件结构、降低了成本，而且还提高器件的性能。